[发明专利]一种利用掺杂锰酸盐异质结材料制作的光位置探测器无效
申请号: | 200510114583.1 | 申请日: | 2005-10-26 |
公开(公告)号: | CN1956228A | 公开(公告)日: | 2007-05-02 |
发明(设计)人: | 赵昆;吕惠宾;何萌;黄延红;金奎娟;邢杰;刘国珍;陈正豪;周岳亮;杨国桢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;G01D5/26 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高存秀 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种利用掺杂锰酸盐异质结制作的光位置探测器,包括在p型或n型衬底上相应外延生长一层n型或p型光响应薄膜层,所述的光响应薄膜层为R1-xAxMnO3掺杂锰酸盐材料薄膜;一组2个电极对称设置在光响应薄膜层上的两边,该组电极输出X轴方向的电压信号,另一组2个电极对称设置在光响应薄膜层的另外两边上,该组电极输出Y轴方向的电压信号,并且两组电极相互垂直;电极引线的一端与电极连接,电极引线的另一端是信号输出端。该种光位置敏感器件为横向光生伏特型器件,输出光敏信号较大,可达200毫伏,制备方法简单,利用半导体工艺,还可以制备出多个单元、多元列阵式器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 掺杂 锰酸盐异质结 材料 制作 位置 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种利用掺杂锰酸盐异质结材料制作的光位置探测器,包括:外壳,p型或n型衬底(1),和在其上相应外延生长一层n型或p型光响应薄膜层(2),以及在光响应薄膜层(2)上设置电极和电极引线;其特征在于,所述的光响应薄膜层(2)为掺杂锰酸盐材料薄膜,其掺杂锰酸盐是R1-xAxMnO3,其中R包括:La、Pr、Nd或Sm,A包括:Sr、Ca、Ba、Pb、Sn、Te、Nb、Sb、Ta、Ce或Pr,x值为0.01~0.5;所述的电极分为第一电极(3)、第二电极(4)为一组,2个电极对称设置在光响应薄膜层(2)上的两边,该组电极输出X轴方向的电压信号,第三电极(5)、第四电极(6)为一组,对称设置在光响应薄膜层(2)的另外两边上,该组电极输出Y轴方向的电压信号,并且两组电极相互垂直;电极引线(7)的一端与电极连接,电极引线(7)的另一端是信号输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的