[发明专利]使用较高电压供电电平的低压逻辑操作有效
申请号: | 200510114988.5 | 申请日: | 2005-11-16 |
公开(公告)号: | CN1812095A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 塞哈特·苏塔迪嘉 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L23/52;H02M3/10 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王怡 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | 一种处理系统包括第一处理模块以及与所述第一处理模块通信的第二处理模块。第一和第二处理模块串联连接在第一参考电势和第二参考电势之间。操作系统与所述第一和第二处理模块通信,并执行所述第一和第二处理模块的负载均衡和/或节流中的至少一个,以减小所述第一和第二处理模块之间的电流消耗差。 | ||
搜索关键词: | 使用 电压 供电 电平 低压 逻辑 操作 | ||
【主权项】:
1.一种处理系统,包括:第一处理模块;与所述第一处理模块通信的第二处理模块,其中所述第一和第二处理模块串联连接在第一参考电势和第二参考电势之间;与所述第一和第二处理模块通信的操作系统,该操作系统执行所述第一和第二处理模块的负载均衡和/或节流中的至少一个,以减小所述第一和第二处理模块之间的电流消耗差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的