[发明专利]半导体器件及用于形成栅极结构的方法有效
| 申请号： | 200510115145.7 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1790740A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | B·H·恩格尔;S·M·卢卡里尼;J·D·西尔韦斯特里;王允愈 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括栅极介质，在半导体衬底顶部，所述半导体衬底包括邻近所述栅极介质的源极和漏极区域；栅极导体，在所述栅极介质顶部；保形介质钝化叠层，设置在至少所述栅极导体侧壁上，所述保形介质钝化叠层包括多个保形介质层，其中没有电路径延伸穿过整个所述叠层；以及接触，至所述源极和漏极区域，其中穿过所述保形介质钝化叠层的不连续裂缝基本消除所述接触和所述栅极导体之间的短路。本发明还提供了一种用于制造上述半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：栅极介质，在半导体衬底顶部，所述半导体衬底包括邻近所述栅极介质的源极和漏极区域；栅极导体，在所述栅极介质顶部；保形介质钝化叠层，设置在至少所述栅极导体侧壁上，所述保形介质钝化叠层包括不连续电路径；以及接触，至所述源极和漏极区域，其中所述保形介质钝化叠层基本消除所述接触和所述栅极导体之间的短路。
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