[发明专利]具有虚拟接地阵列之存储器及改良读取边际损失之方法有效
| 申请号： | 200510115153.1 | 申请日： | 2005-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1855308A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 谢文义;郭乃萍;洪俊雄;陈耕晖 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C7/00;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于具有包括多个存储器储存格之虚拟阵列的存储器元件之规划验证方法，其决定泄漏电流是否通过一个或多个邻近存储器储存格至该已规划存储器储存格。若决定泄漏电流是通过一个或多个邻近存储器储存格，则根据第一临限状态验证该已规划存储器储存格。若决定泄漏电流未通过一个或多个邻近存储器储存格，则根据第二临限状态验证该已规划存储器储存格。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 虚拟 接地 阵列 存储器 改良 读取 边际 损失 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于具有包括多个存储器储存格之虚拟阵列的存储器元件中之方法，其特征是该方法包含：规划存储器储存格；决定泄漏电流是否通过一个或多个邻近存储器储存格至该已规划存储器储存格；若决定泄漏电流是通过一个或多个邻近存储器储存格，则根据第一临限状态对于该已规划存储器储存格执行第一验证；及若决定没有泄漏电流通过一个或多个邻近存储器储存格，则根据第二临限状态对于该已规划存储器储存格执行第二验证。
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