[发明专利]金属氧化物半导体电路结构

摘要

本发明涉及一种金属氧化物半导体电路结构，该金属氧化物半导体电路结构包含一硅基底、一半导体组件、一场氧化层以及一多重保护层。该硅基底掺杂一种导体载子，其中该半导体组件与该硅基底电性连接。该场氧化层形成于该硅基底上与半导体组件端点相邻位置，是用以在该场氧化层与该半导体组件间形成一工作区。该多重保护层覆盖于工作区上以半导体组件端点与场氧化层连接，其中该多重保护层提供一介于该半导体组件与该硅基底间的截面崩溃路径，该截面崩溃路径是用以增加该半导体组件的截面崩溃电压。

主权项

1.一种金属氧化物半导体电路结构，其特征在于，包含：一硅基底，该硅基底中有导体载子掺杂；一半导体组件，该半导体组件具有一端点，电连接硅基底；一场氧化层，形成于硅基底上与半导体组件端点间隔位置，用以于该场氧化层与半导体组件间形成一工作区；以及一多重保护层，覆盖于工作区上，该多重保护层电性连接半导体组件端点与场氧化层，其中该多重保护层提供一介于半导体组件与硅基底间的截面崩溃路径以增加半导体组件的截面崩溃电压。