[发明专利]存储器元件及阵列、接触结构的制法及制得的装置与元件有效
| 申请号： | 200510115567.4 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1783455A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 李明修;刘瑞琛 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 薛平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明将I形及L形接触结构及其制造方法应用到半导体元件上，且在某些情形下应用到相变型非易失存储元件上。以这些方法制造的I形及L形接触结构只占相当小的主动面积，而此可控制接触结构尺寸的方法是应用传统的半导体沉积与蚀刻步骤来达成，故其再现性甚佳。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 阵列 接触 结构 制法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种接触结构的制造方法，其特征是包括：在具有下导电结构的基底上方沉积垫材料；蚀刻该垫材料以形成具多个侧壁的至少一个支撑结构；于该至少一个支撑结构上方沉积一层第一材料；使该第一材料形成至少一个I形接触结构，其位于上述这些侧壁中的至少一个上，且具有与该下导电结构电连接的下端及与该下端相对的上端；以及在该至少一个I形接触结构上方形成上导电结构，其与该至少一个I形接触结构的该上端电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510115567.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
