[发明专利]电路化衬底及其制造方法,电组合件及资讯处理系统无效
申请号: | 200510115610.7 | 申请日: | 2005-11-07 |
公开(公告)号: | CN1790644A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | 本森·陈;约翰·M·劳弗尔 | 申请(专利权)人: | 安迪克连接科技公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H05K3/00;H05K3/38;H05K3/02;H05K1/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明揭示一种其中三个导电层(例如,电镀铜箔)结合(例如,层压)到两个介电层的电路化衬底。物理结合到一相应介电层的所述箔片表面的每个箔片表面都是光滑的(例如,优选通过化学处理),且其上可包括一薄的有机层。所述导电层中的一个导电层可充当一接地或电压(电源)平面,而另外两个导电层可充当信号平面,所述信号平面具有作为其一部分的复数个单独信号线。还提供使用所述电路化衬底的一种电组合件和一种信息处理系统,和一种制造所述衬底的方法。 | ||
搜索关键词: | 电路 衬底 及其 制造 方法 组合 资讯 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种制造一电路化衬底的方法,其包含:提供一具有第一和第二相对光滑侧面的第一导电层;提供第二和第三导电层,每个导电层都具有一第一光滑侧面和一粗糙度大于所述第二和第三导电层的所述第一光滑侧面的粗糙度的第二相对侧面;使用一化学处理处理所述第一、第二和第三导电层,以最低限度地增加所述第一导电层的所述第一和所述第二光滑侧面的所述粗糙度以及所述第二和第三导电层的所述第一光滑侧面的所述粗糙度;提供第一和第二介电层;在使用所述化学处理处理所述第一导电层之后,将所述第一和第二介电层分别结合到所述第一导电层的所述第一和第二相对光滑侧面;在使用所述化学处理处理所述第二和第三导电层的所述第一光滑侧面之后,将所述第二和第三导电层的所述第一光滑侧面分别结合到所述第一和第二介电层;和在所述第二和第三导电层中的至少一导电层内形成一电路图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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