[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510115664.3 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1773714A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李启勋 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，通过防止在微透镜的周边部分的不良光折射特性来提高图像传感器的光接收性能。该CMOS图像传感器包括至少一个由各向异性蚀刻形成的微透镜，该微透镜具有聚焦中心线、中央透镜部分、以及周边透镜部分，其中该聚焦中心线通过该中央透镜部分，周边透镜部分围绕该中央透镜部分。中央透镜部分具有基于第一半径的第一凸曲率，周边透镜部分具有基于大于第一半径的第二半径的第二凸曲率。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：至少一个微透镜，通过各向异性蚀刻形成，以得到聚焦中心线、中央透镜部分、以及周边透镜部分，其中，所述聚焦中心线通过所述中央透镜部分，且其中所述周边透镜部分围绕所述中央透镜部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
