[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及有机电激发光显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及有机电激发光显示装置，其特征为：藉由等离子CVD法将氧化硅膜(51)沉积于玻璃基板(50)上，再藉由等离子CVD法将非晶硅膜(52)沉积于氧化硅膜(51)上；对非晶硅膜(52)照射准分子激光，一直加热到非晶硅膜(52)熔解为止并使其结晶化，以作成多晶硅膜(52A)；将此多晶硅膜(52A)蚀刻成预定的图案；将P型杂质例如硼离子植入于多晶硅膜(52A)中，藉由CVD法沉积由氧化硅膜构成的栅极绝缘膜(53)，以覆盖多晶硅膜(52A)，再于栅极绝缘膜(53)上形成栅极电极(54)。通过本发明可降低有机EL显示装置的横纹与纵纹的显示不均，从而提高显示质量。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该方法包括以下步骤， 于基板上沉积非晶质状态的硅膜的步骤；对所述硅膜进行激光照射，将所述硅膜熔解并结晶化，以作成多晶硅膜的步骤；将所述多晶硅膜蚀刻成预定图案的步骤；于所述蚀刻结束后，将杂质导入至所述多晶硅膜中的步骤；于所述多晶硅膜上形成栅极绝缘膜的步骤；于所述栅极绝缘膜上形成栅极电极的步骤；以及于所述多晶硅膜内形成源极区域及漏极区域的步骤。