[发明专利]半导体晶片有效
申请号: | 200510115701.0 | 申请日: | 2005-11-08 |
公开(公告)号: | CN1783494A | 公开(公告)日: | 2006-06-07 |
发明(设计)人: | 傅宗民;林晃生;韩郁琪;陈宪伟 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/544 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体晶片,其具有形成于一基底的一集成电路区,并包含置于上述基底且邻近上述集成电路区的至少一晶片角落非电路区、与形成于上述晶片角落非电路区内的至少一查检记号。上述查检记号包含择自激光熔线标记、对准标记、与监控标记的结构。本发明所述半导体晶片,可以使电路布局所需的有效晶片面积最大化。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 | ||
【主权项】:
1.一种半导体晶片,具有形成于一基底的一集成电路区,其特征在于,该半导体晶片包含:置于该基底上的至少一晶片角落非电路区,该晶片角落非电路区是邻近该集成电路区;以及至少一查检记号于该晶片角落非电路区内,其中该查检记号是择自:由一激光熔线标记、对准标记、与监控标记所组成的族群。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的