[发明专利]前置放大器的防潮绝缘处理工艺有效
| 申请号： | 200510115911.X | 申请日： | 2005-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1964008A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 杜向阳;饶贤明;韩淑萍;邓长明;刘正山;张晓卫 | 申请（专利权）人： | 中国辐射防护研究院 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H05K3/00;H05K3/28;H05K3/30 |
| 代理公司： | 核工业专利中心 | 代理人： | 任晓航 |
| 地址： | 030006*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及前置放大器的防潮绝缘处理工艺。该前置放大器的防潮绝缘处理工艺为，对前置放大器的高压电路部分以及前置放大器的第一级放大部分进行全部密封。本发明解决了前置放大器在环境温度为40℃左右、湿度为95％以上时出现放电现象的问题，在根本上提高了前置放大器的防潮能力及绝缘能力。 | ||
| 搜索关键词： | 前置放大器 防潮 绝缘 处理 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种前置放大器的防潮绝缘处理工艺，其特征在于：对前置放大器的高压电路部分以及前置放大器的第一级放大部分进行全部密封。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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