[发明专利]半导体元件及制造铜导线的方法有效
| 申请号： | 200510115960.3 | 申请日： | 2005-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1790663A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;冯宪平;曹荣志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及制造铜导线的方法，有关于以双步骤沉积来提高铜膜品质的方法或设备。该双步骤沉积技术包含了沉积第一铜膜，接着在适当的温度下进行退火以去除杂质。再进行第二铜膜的沉积，完成后进行第二次退火以除去杂质。第二铜膜的沉积可利用不含盐酸及碳系添加物的电化学电镀法进行，也可利用溅镀方式沉积以避免薄膜中出现如碳、氯及硫的杂质。本发明的制造铜导线的方法可以提高铜膜的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 导线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造铜导线的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，具有一介层窗及一沟槽；利用一第一电化学电镀制程，在该介层窗中沉积一第一铜金属层；将该介层窗进行退火处理以移除该第一铜金属层内的杂质；在该沟槽中沉积一第二铜金属层，该第二铜金属层大抵不含HCl及碳系添加物；以及将该沟槽进行退火处理以增加铜的晶粒大小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510115960.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钢索链带式掘运通风发讯联合采矿机
- 下一篇：自动对焦系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
