[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W₁tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W₁代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。

主权项

1.一种制造太阳能电池的方法，其特征在于，包括至少在半导体基片的一个主表面上形成多个凹槽的步骤，其中凹槽刻划刀片能在保持凹槽刻划刀片的刀口部分在工作台平坦的基片进料表面上突出一预定的高度下转动，以及在半导体基片的一个主表面上刻划凹槽而保持主表面与基片进料表面的紧密接触，并沿着相对于凹槽刻划刀片的基片进料表面，在垂直于凹槽刻划刀片厚度方向的方向上移动基片。