[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200510116125.1 | 申请日： | 2005-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1779966A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 阪口明美;大城户敏夫 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种具有包括第一电极、第二电极和绝缘体的电容器的半导体器件。半导体器件包括交替层叠的多个第一层和多个第二层。第一层每层都包括交替设置且在第一方向上延伸的第一电极的线和第二电极的线。第二层每层都包括交替设置且在第二方向上延伸的第一电极的线和第二电极的线。第一通孔连接每个第一层中的第一电极的线和每个第二层中的第一电极的线。第二通孔连接每个第一层中的第二电极的线和每个第二层中的第二电极的线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种包括电容器的半导体器件，该电容器包括第一电极、第二电极和在其间的绝缘体，该半导体器件包括：交替层叠的多个第一层和多个第二层，第一层每层都包括交替设置且在第一方向上延伸的第一电极的线和第二电极的线，第二层每层都包括交替设置且在与第一方向不同的第二方向上延伸的第一电极的线和第二电极的线；多个第一通孔，在第一电极的线的交叉点处连接每个第一层中的第一电极的线和每个第二层中的第一电极的线；多个第二通孔，在第二电极的线的交叉点处连接每个第一层中的第二电极的线和每个第二层的线中的第二电极的线；以及在第一电极和第二电极之间的绝缘体。
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