[发明专利]制造集成电路器件的方法及由此形成的器件有效
| 申请号： | 200510116163.7 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1832139A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 田光悦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/00;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 形成集成电路器件的方法包括在半导体衬底上形成具有不同电阻率的构图层。这些方法包括在半导体衬底的第一和第二部分上形成具有第一电阻率的第一导电层。半导体衬底的第一部分可以包括衬底的存储单元阵列部分，以及半导体衬底的第二部分可以包括衬底的外围电路区，外围电路区延伸邻近存储单元阵列部分。构图第一导电层，以在衬底的第一部分上限定上电容器电极，以及在衬底的第二部分上限定电阻性图形。然后在衬底的第三部分和在电阻性图形上形成第二导电层。构图第二导电层，以在衬底的第三部分上限定第一电阻器图形和在电阻性图形上限定构图的电阻器帽盖。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 器件 方法 由此 形成 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底的第一和第二部分上形成具有第一电阻率的第一导电层；刻蚀第一导电层，以在衬底的第一部分上限定上电容器电极，以及在衬底的第二部分上限定电阻性图形；在衬底的第三部分上和在电阻性图形上形成具有第二电阻率的第二导电层，第二电阻率大于第一电阻率；以及刻蚀第二导电层，以在衬底的第三部分上限定第一电阻器图形以及在电阻性图形上限定构图的电阻器帽盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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