[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 200510116183.4 | 申请日: | 2005-10-25 |
公开(公告)号: | CN1780124A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 远藤幸一;高桥守郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体器件。上侧及下侧开关元件通过使控制电压变化而在导通状态和非导通状态之间切换。控制单元控制该控制电压的大小而使上侧/下侧开关元件交替地导通。控制单元进行控制,以在上侧开关元件导通状态和非导通状态之间进行切换时刻的前后,使下侧开关元件的控制电压的绝对值成为比阈值电压的绝对值小、比基准电压大的中间电压。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于包括:上侧开关元件,包括被施加第1控制电压的第1控制端子,通过使所述第1控制电压变化而在导通状态和非导通状态之间切换;下侧开关元件,包括在连接点与所述上侧开关元件串联连接、而且被施加第2控制电压的第2控制端子,通过使所述第2控制电压变化而在导通状态和非导通状态之间切换;以及控制单元,控制所述第1控制电压及所述第2控制电压的大小而使所述上侧开关元件和所述下侧开关元件交替地导通,所述控制单元在所述上侧开关元件在导通状态和非导通状态之间切换的时刻的前后的切换期间,将所述第2控制电压的绝对值控制为比所述下侧开关元件的阈值电压的绝对值小、比基准电压大的中间电压,并施加在所述第2控制端子上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510116183.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。