[发明专利]用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法有效
| 申请号： | 200510116191.9 | 申请日： | 2005-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1796482A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 平光亚衣;伊藤隆;堀哲二 | 申请（专利权）人： | 不二见株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;C09C1/68;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种抛光组合物，其氮化硅层的材料去除速率高于氧化硅层的材料去除速率，对抛光平面化基本上没有不良作用，可以达到足够的氮化硅层去除速率，还提供了一种使用该组合物的抛光方法。一种抛光组合物，包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，当酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃的大气下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。特别优选的组合物是其中氧化硅磨粒的平均粒径为1－50纳米，pH值为3.5－6.5的组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 抛光 氮化 组合 以及 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抛光组合物，所述的抛光组合物用于在半导体生产的抛光中对氮化硅层进行抛光直至到达氧化硅层的步骤中，其特征在于，所述的抛光组合物包含氧化硅磨粒、酸添加剂和水，其中所述的酸添加剂为：当所述酸添加剂形成85重量％的水溶液时，在80℃气氛下，对氮化硅层的化学蚀刻速率最多为0.1纳米/小时。
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