[发明专利]基板的制造方法无效
申请号: | 200510116286.0 | 申请日: | 2005-11-04 |
公开(公告)号: | CN1770424A | 公开(公告)日: | 2006-05-10 |
发明(设计)人: | 梅津一成 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的基板的制造方法,是具有已形成图案的功能膜的基板(10)的制造方法,包括:通过激光照射(11)在基板(10)上形成槽图案(12)的工序、沿着上述槽图案(12)配置液体材料(13)的工序、和加热上述液体材料(13)形成功能膜的工序。进而,可以组合槽图案与疏液膜。可以使用液体材料在基板上能够形成高密度且微细的功能膜(例如,配线图案)。由此,本发明提供可以通过液滴喷出法形成宽度比较窄且具有厚膜的图案的基板的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板的制造方法,是具有已形成图案的功能膜的基板的制造方法,包括,通过激光照射在基板上形成槽图案的工序,沿着所述图案配置液体材料的工序,使所述液体材料固化形成所述功能膜的工序。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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