[发明专利]半导体集成电路和半导体器件有效
| 申请号： | 200510116384.4 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1773726A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 桧谷光春;长泽俊夫;田村晃洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种加快了对源极/漏极电极电压变化的响应的半导体集成电路。LDMOS晶体管包括：形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；形成在第一阱区中的第一导电类型的第二阱区；形成在第二阱区中的第二导电类型的第三阱区；形成在第二阱区中的漏极区域；形成在第三阱区中的源极区域；隔着栅极绝缘膜形成在漏极区域与源极区域之间的第三阱区上方的栅极电极；以及形成在栅极电极与漏极区域之间的绝缘层。半导体衬底与源极区域之间的寄生电容以及衬底与漏极区域之间的寄生电容被分别串联，并且看起来相当小。因此，在作为对源极(漏极)电极电压变化的跟随响应的漏极(源极)电压变化的延迟相当小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，具有形成在第一导电类型的半导体衬底上的LDMOS晶体管，该LDMOS晶体管包括：形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；形成在第一阱区中的第一导电类型的第二阱区；形成在第二阱区中的第二导电类型的第三阱区；形成在第二阱区中的漏极区域；形成在第三阱区中的源极区域；隔着栅极绝缘膜形成在漏极区域与源极区域之间的第三阱区上方的栅极电极；以及形成在栅极电极与漏极区域之间的绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510116384.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
