[发明专利]高温烘烤晶舟无效
| 申请号： | 200510116398.6 | 申请日： | 2005-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1953153A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 戴碧辉 | 申请（专利权）人： | 京元电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;F27D5/00;B65D85/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;陈肖梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种高温烘烤晶舟，其中高温烘烤晶舟包含一前端构件、二片侧壁板、一后端构件、复数个固定槽、二片弹片挡板及二支支撑杆。使用此种高温烘烤晶舟可将晶圆受损的机会减至最低。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 烘烤 | ||
【主权项】：
1.一种高温烘烤晶舟，该高温烘烤晶舟包含：一前端构件；二侧壁板相对地设置于该前端构件的两端；一后端构件位于该二侧壁板之间；及二弯曲的弹片挡板相对地设置于该二侧壁板的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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