[发明专利]半导体激光装置无效
| 申请号： | 200510116450.8 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1764027A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 早川利郎;浅野英树;长滨慎一;松本祐司;甲本克敏 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社;日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22;H01S5/343;H01S5/323;H01S5/40;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是具有折射率波导结构，将横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器的多个发光区域，能够聚光为高亮度，抑制水平光束辐射角度为小。本发明具有：例如，在p－GaN盖层(28)和p－Al0.1Ga0.9N金属包层(27)，形成宽度W2的脊形结构所形成的折射率波导结构。横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光器中，将带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn设定为1.5×10－2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于：在具有折射率波导结构，横模为高次模或多模来振荡的GaN系的带状型半导体激光装置中，带中央部与带外部之间的实效折射率差Δn为1.5×10-2以下。
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