[发明专利]采用PECVD由氨基硅烷制备氮化硅无效
| 申请号： | 200510116578.4 | 申请日： | 2005-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1940132A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | A·K·霍奇伯格;K·S·库希尔 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/52;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;邹雪梅 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于由氮、氩、氙、氦或氨和氨基硅烷，优选化学式：(t－C4H9NH)2SiH2等离子体增强化学气相沉积氮化硅膜的工艺，该工艺为所得的用于半导体工业的膜提供了改善的特性，特别是抗蚀刻性和低氢浓度，以及应力控制。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 pecvd 氨基 硅烷 制备 氮化 | ||
【主权项】：
1、用于降低在衬底上等离子体增强化学气相沉积氮化硅的湿蚀刻速度的工艺，该工艺采用具有至少一个Si-N键的硅前体和选自以下的反应物：(i)氮；(ii)氩；(iii)氙；(iv)氦；(v)(ii)、(iii)和/或(iv)的混合物；(vi)氨和/或肼；和(vii)与惰性气体相比低于1％的氨与(ii)、(iii)、(iv)或(v)的惰性气体的组合。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
