[发明专利]有机半导体膜的图案形成方法有效
| 申请号： | 200510116655.6 | 申请日： | 2003-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1821442A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 石川贵之;榊原悌互;三浦大祐;宇野英满;小野升 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/00 | 分类号： | C23C18/00;H01L51/00;C07D487/22;C07F1/08;C07F3/02;C07F3/06;C07F5/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种有机半导体膜的图案形成方法，其特征为，利用印刷将至少含有二环化合物的溶液赋予到基材上所希望的位置，使二环骨架中的一部分从所述二环化合物上脱离，扩张π共轭系统，将所述二环化合物转变成有机半导体材料，由此在该基材上所选择的位置处发生逆狄尔斯－阿德尔反应，从而在基材上所希望的位置形成有机半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体膜的图案形成方法，其特征为，利用印刷将至少含有二环化合物的溶液赋予到基材上的所希望的位置，使二环骨架中的一部分从所述二环化合物上脱离，扩张π共轭系统，将所述二环化合物转变成有机半导体材料，由此在该基材上所选择的位置处发生逆狄尔斯-阿德尔反应，从而在基材上所希望的位置形成有机半导体膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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