[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200510116931.9 申请日: 2005-10-25
公开(公告)号: CN1766724A 公开(公告)日: 2006-05-03
发明(设计)人: 李昶勋;金贤昱;郑美惠;申暻周;仓学璇;严允成 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;H01L29/786
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 李瑞海;邱玲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种根据实施例的薄膜晶体管阵列面板,该面板包括:基板;多条栅极线,形成在基板上;多个第一电容器电极,形成在基板上,并且与栅极线分离;多条数据线,与栅极线交叉;多个薄膜晶体管,连接到栅极线和数据线;多个第二电容器电极,位于第一电极上;多个互连部分,连接到第二电容器电极和薄膜晶体管,并且关于数据线对称设置;多个像素电极,每个像素电极包括连接到薄膜晶体管之一的第一子像素电极和连接到第一电容器电极之一的第二子像素电极。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管阵列面板,包括:基板;栅极线,形成在所述基板上;第一电容器电极,形成在所述基板上,并且与所述栅极线分离;数据线,与所述栅极线交叉;薄膜晶体管,连接到所述栅极线和所述数据线;第二电容器电极,位于所述第一电容器电极上;多个互连部分,连接所述第二电容器电极和所述薄膜晶体管,并且基本上关于所述数据线对称设置;像素电极,包括连接到所述薄膜晶体管的至少一个第一子像素电极和连接到所述第一电容器电极的第二子像素电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510116931.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top