[发明专利]基板载置台、基板处理装置及基板的温度控制方法无效
申请号: | 200510116968.1 | 申请日: | 2005-10-28 |
公开(公告)号: | CN1779939A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 木村英利 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00;G05B15/00;G05B19/04 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳;邸万杰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板载置台,它能够提高被处理基板的温度均匀性和温度控制响应性,且能够得到充分的温度控制性。在基板处理装置中用来载置基板的基板载置台(4)包括:静电卡盘(42),构成载置台本体;周缘环状凸部(61),形成在静电卡盘(42)的基准面(60)上,在载置晶片(W)时与晶片的周缘部接触,此时,在晶片(W)的下方部分形成填充热传导用气体的密闭空间(62);多个第一突起部(63),设置在基准面(60)的周缘环状凸部(61)的内侧部分,在载置晶片(W)时与晶片(W)接触;多个第二突起部(64),设置在基准面(60)的周缘环状凸部(61)的内侧部分,与第一突起部(63)独立,在载置晶片(W)时不与晶片(W)接触地接近。 | ||
搜索关键词: | 基板载置台 处理 装置 温度 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板载置台,在基板处理装置中用于载置基板,其特征在于,包括:载置台本体;周缘环状凸部,它形成于所述载置台本体的基板载置侧的基准面上,使得在载置基板时与基板的周缘部接触,此时,在基板的下方部分形成填充热传导用气体的密闭空间;多个第一突起部,它设置在所述基准面的所述周缘环状凸部的内侧部分,使得在载置基板时与基板接触;多个第二突起部,它设置在所述基准面的所述周缘环状凸部的内侧部分,与所述第一突起部独立,在载置基板时,不与基板接触地接近。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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