[发明专利]基板载置台、基板处理装置及基板的温度控制方法无效

专利信息
申请号: 200510116968.1 申请日: 2005-10-28
公开(公告)号: CN1779939A 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: 木村英利 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/00;G05B15/00;G05B19/04
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳;邸万杰
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种基板载置台,它能够提高被处理基板的温度均匀性和温度控制响应性,且能够得到充分的温度控制性。在基板处理装置中用来载置基板的基板载置台(4)包括:静电卡盘(42),构成载置台本体;周缘环状凸部(61),形成在静电卡盘(42)的基准面(60)上,在载置晶片(W)时与晶片的周缘部接触,此时,在晶片(W)的下方部分形成填充热传导用气体的密闭空间(62);多个第一突起部(63),设置在基准面(60)的周缘环状凸部(61)的内侧部分,在载置晶片(W)时与晶片(W)接触;多个第二突起部(64),设置在基准面(60)的周缘环状凸部(61)的内侧部分,与第一突起部(63)独立,在载置晶片(W)时不与晶片(W)接触地接近。
搜索关键词: 基板载置台 处理 装置 温度 控制 方法
【主权项】:
1.一种基板载置台,在基板处理装置中用于载置基板,其特征在于,包括:载置台本体;周缘环状凸部,它形成于所述载置台本体的基板载置侧的基准面上,使得在载置基板时与基板的周缘部接触,此时,在基板的下方部分形成填充热传导用气体的密闭空间;多个第一突起部,它设置在所述基准面的所述周缘环状凸部的内侧部分,使得在载置基板时与基板接触;多个第二突起部,它设置在所述基准面的所述周缘环状凸部的内侧部分,与所述第一突起部独立,在载置基板时,不与基板接触地接近。
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