[发明专利]有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法

摘要

有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法。公开了一种有源矩阵型有机发光二极管器件及其制造方法。在一实施例中，有源矩阵型有机发光二极管器件包括构造为发光的电致发光元件、构造为控制电致发光元件的驱动薄膜晶体管、耦合至驱动薄膜晶体管的存储电容器，以及构造为对所述有源矩阵型有机发光二极管、驱动薄膜晶体管和存储电容器中的至少一个进行绝缘的至少一个绝缘层，该至少一个绝缘层包括形成在所述至少一个绝缘层表面上的多个凹部。

主权项

1、一种有源矩阵型有机发光二极管器件，包括：形成在绝缘基板上的缓冲层；形成在所述缓冲层上的半导体层，具有漏极和源极；形成在所述缓冲层包括所述半导体层上的栅绝缘膜；形成在所述栅绝缘膜上的栅极和电容器下电极；形成在所述栅极和电容器下电极上的第一夹层绝缘膜；形成在所述第一夹层绝缘膜上的阴极和电容器上电极；形成在所得结构上的第二夹层绝缘膜，具有露出所述阴极、漏极、源极、电容器上电极和电容器下电极各部分的接触孔；形成在所述第二夹层绝缘膜上的第一和第二导电层图案，所述第一导电层图案连接所述阴极和漏极，所述第二导电层图案连接所述源极和电容器上电极；形成在所得结构上的钝化层，具有露出所述阴极的一部分的开口；形成在所述开口内的电致发光层；以及形成在所述电致发光层上的阳极，其中，在所述缓冲层、栅绝缘膜、第一夹层绝缘膜、第二夹层绝缘膜以及钝化层中的至少一个的表面上形成有多个凹部。