[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200510117154.X | 申请日： | 2005-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN1960011A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 武良文;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王昕 |
| 地址： | 台湾省桃园县龙潭乡*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括基板、半导体叠层、第一电极以及第二电极。其中，半导体叠层设置于基板上，且半导体叠层包括N型掺杂半导体层、P型掺杂半导体层以及发光层。N型掺杂半导体层具有铟掺质，而发光层设置于N型掺杂半导体层与P型掺杂半导体层之间。此外，第一电极设置于N型掺杂半导体层上，而第二电极设置于P型掺杂半导体层上。上述发光二极管中的N型掺杂半导体层较不易有龟裂、断裂或点缺陷等问题发生，因此上述发光二极管具有较低的电功率消耗、较高的制造合格率以及较佳的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征是包括：基板；半导体叠层，设置于该基板上，该半导体叠层包括：N型掺杂半导体层，具有铟掺质；P型掺杂半导体层；发光层，设置于该N型掺杂半导体层与该P型掺杂半导体层之间；第一电极，设置于该N型掺杂半导体层上；以及第二电极，设置于该P型掺杂半导体层上。
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