[发明专利]具有高热耗散的合成结构无效
| 申请号： | 200510117253.8 | 申请日： | 2005-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1779950A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | A·布萨戈尔;B·富尔 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/36;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于光学、光电子学或电子学的合成结构(40)，该合成结构(40)包含支撑晶片(20)、由选自单晶材料的材料制成的层和由介电材料制成的层(13)，其特征在于，选择支撑晶片(20)的制备材料、由单晶材料制成的层(11)和介电层(13)，并调整每层的厚度，使得在环境温度和600°K之间，合成结构(40)的热阻抗低于或等于具有与合成结构相同尺寸的单晶块SiC晶片的热阻抗的大约1.3倍。本发明还涉及用于制备该合成结构(40)的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高热 耗散 合成 结构 | ||
【主权项】：
1.一种应用于光学、光电子学或电子学的合成结构(40)，所述合成结构(40)包含支撑晶片(20)和由选自单晶材料的材料制成的层(11)和由介电材料制成的层(13)，其特征在于，选择支撑晶片(20)的、由单晶材料制成的层(11)的和介电层(13)的组成材料，并调整每层的厚度，使得在环境温度和600°K之间，合成结构(40)的热阻抗低于或等于具有与合成结构相同尺寸的单晶块SiC晶片的热阻抗的大约1.3倍。
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