[发明专利]在半导体装置中形成电容器之存储节点的方法有效
| 申请号： | 200510117259.5 | 申请日： | 2005-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1794455A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 宣俊劦;李圣权;赵诚允 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于在半导体装置中形成电容器之存储节点的方法。此方法包括下述步骤：在半完成之基板上形成层间绝缘层；蚀刻所述层间绝缘层以形成多个第一接触孔；在第一接触孔之侧壁上形成第一绝缘层；形成填充到第一接触孔内之多个存储节点接触塞；在所述存储节点接触塞上以与第一绝缘层不同之蚀刻率形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第三绝缘层；顺序地蚀刻第三绝缘层及第二绝缘层以形成暴露所述存储节点接触塞之多个第二接触孔；及在每个第二接触孔上形成所述存储节点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 电容器 存储 节点 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体装置中形成电容器之存储节点之方法，包括下述步骤：在基板上形成层间绝缘层；蚀刻所述层间绝缘层以形成多个第一接触孔；在第一接触孔之侧壁上形成第一绝缘层；形成填充到第一接触孔内之多个存储节点接触塞；在所述存储节点接触塞上以与第一绝缘层不同之蚀刻率形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第三绝缘层；顺序地蚀刻第三绝缘层及第二绝缘层以形成暴露所述存储节点接触塞之多个第二接触孔；及在每个第二接触孔上形成所述存储节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
