[发明专利]基板处理系统无效
申请号: | 200510117315.5 | 申请日: | 2005-11-01 |
公开(公告)号: | CN1779905A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 坂本仪秀;菊池俊彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/66;C23F4/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种基板处理系统,抑制由处理气体造成的测定装置的污染。在测定装置(4)的框体(30)内设置用于形成测定室(S)的测定区域(40)。测定室(S)将晶片(W)的搬运口(33)作为一个侧面,形成为长方体形状。在测定室(S)内设置载置板(42)。光学系统(45)被设置在分隔测定室(S)的顶面的相反侧。由此,光学系统(45)和测定室(S)的通气被遮断。在测定室(S)上设置向搬运口(33)提供清洁空气的供气口(50)。将晶片(W)送入测定室(S),对晶片(W)进行测定时,从供气口(50)向搬运口(33)提供清洁的空气,将从搬运口(33)流入测定室(S)的处理气体稀释或压回去。 | ||
搜索关键词: | 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理系统,其特征在于,具有一体化的下述装置:使用处理气体对基板进行处理的处理装置;对用所述气体处理装置处理的基板进行测定的测定装置;和将用所述气体处理装置处理的基板搬运到所述测定装置的搬运装置,所述测定装置具有载置基板的载置部;向该载置部上载置的基板照射光,对基板进行测定的光学测定部;和容纳所述载置部,对所述载置部上的基板进行测定的测定室,在所述测定室上形成有利用所述搬运装置将基板搬运到所述载置部用的基板搬运口,所述光学测定部中的空间和所述测定室之间的通气被构成该测定室的壁面遮断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造