[发明专利]一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及结构无效
| 申请号： | 200510117341.8 | 申请日： | 2005-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1752288A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 贺学锋;张大成;方竞;张钰;李婷;杨芳;王纬 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐宁;关畅 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就可以使监测结构的侧向吸合电压接近所需要的刻蚀量所对应的侧向吸合电压，达到可对被刻蚀硅片进行定量刻蚀的目的。本发明还同时提出了三种对过刻非常敏感的结构，即分别以悬臂梁、两端固支梁和折梁支承的刚性梁作为可动电极的电容器结构，还提出了宽梁窄间距或窄梁宽间距两个对过刻都十分敏感的优化方案，操作简单，完全满足等离子体过刻进行定量监测的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 进行 定量 监测 方法 结构 | ||
【主权项】：
1、一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，任一给定的刻蚀量就对应所述监测结构的一侧向吸合电压，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压，就可以使监测结构的侧向吸合电压接近所需要的刻蚀量所对应的侧向吸合电压，达到可对被刻蚀硅片进行定量刻蚀的目的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510117341.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
