[发明专利]半导体器件以及用于半导体器件的布线方法有效
| 申请号： | 200510117364.9 | 申请日： | 2005-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN1877835A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 岩田明郎;伊藤学 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/11;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/8244;H01L21/768;G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件，包括：第一电路，其中扩散区域A1、第一栅极G1、扩散区域A2、第二栅极G2和扩散区域A3构成两个晶体管；以及第二电路，其中扩散区域B1、第一栅极G1、扩散区域B2、第二栅极G2和扩散区域B3构成两个晶体管。连接所述扩散区域A1和B3、所述扩散区域A2和B2以及所述扩散区域A3和B1。另选地。连接所述扩散区域A1、A3和B2，以及所述扩散区域A2、B1和B3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 用于 布线 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：彼此平行设置的第一栅极和第二栅极；以及多个电路，共有所述第一栅极和第二栅极，其中所述多个电路中的每一个包括在所述第一栅极的外侧形成的第一扩散区域、在所述第一栅极与第二栅极之间形成的第二扩散区域，以及在所述第二栅极的外侧形成的第三扩散区域，并且选择性地连接所述多个电路的所述扩散区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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