[发明专利]具有软错误率免疫晶胞结构的半导体芯片

摘要

一种具有软错误率免疫晶胞结构的半导体芯片，包括形成在深N型井区中的记忆体元件。该记忆体元件包括一记忆体晶胞。该记忆体晶胞包括第一储存节点与第二储存节点。记忆体晶胞亦包括第一电阻器与第二电阻器分别电性连接至第一储存节点与第二储存节点。记忆体晶胞亦包括第一电容器与第二电容器分别电性连接至第一储存节点与第二储存节点。一内层介电层位于记忆体元件上。该内层介电层包括至少一不含硼的介电材料。一内金属介电层位于内层介电层上，该内金属介电层的介电常数小于约3。聚亚酰胺层位于内金属介电层上。聚亚酰胺层的厚度小于约20微米。

主权项

1、一种具有软错误率免疫晶胞结构的半导体芯片，其特征在于其至少包括：一基材；一第一介电层位于该基材上，其中该第一介电层的一介电常数小于3，且该第一介电层至少包括复数个金属导线；以及一聚亚酰胺层位于该第一介电层上，其中该聚亚酰胺层的一厚度小于20微米。