[发明专利]用于导电材料的蚀刻剂及薄膜晶体管阵列面板的制造方法有效
| 申请号： | 200510117515.0 | 申请日： | 2005-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1769528A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 朴弘植;姜成昊;赵弘济 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 导电 材料 蚀刻 薄膜晶体管 阵列 面板 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于导电材料的蚀刻剂，包括：约65wt％至约75wt％的磷酸；约0.5wt％至约15wt％的硝酸；约2wt％至约15wt％的醋酸；约0.1wt％至约8.0％的钾化合物；以及去离子水。
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