[发明专利]修正光刻掩膜中缺陷的方法和装置无效
| 申请号： | 200510117519.9 | 申请日： | 2005-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN1770008A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | J·W·阿基森;E·M·科克尔;C·K·马格;J·H·兰金;A·K·斯坦珀 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种修正光刻掩膜中缺陷的方法，包括确定在原始掩膜上掩膜缺陷的存在，以及标识在所述原始掩膜上发现的各所述掩膜缺陷周围的可修补区域。封闭在所述原始掩膜上的各所述标识的可修补区域，以使在曝光所述原始掩膜期间，不印刷在所述可修补区域内的电路。形成修复掩膜，所述修复掩膜包括来自各所述标识的可修补区域的修正电路图形。 | ||
| 搜索关键词： | 修正 光刻 掩膜中 缺陷 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种修正光刻掩膜中缺陷的方法，所述方法包括以下步骤：确定在原始掩膜上掩膜缺陷的存在；标识在所述原始掩膜上发现的各所述掩膜缺陷周围的可修补区域；封闭在所述原始掩膜上的各所述标识的可修补区域，以使在曝光所述原始掩膜期间不印刷在所述可修补区域内的电路；以及形成修复掩膜，所述修复掩膜包括来自各所述标识的可修补区域的修正电路图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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