[发明专利]用于改进光学邻近校正的方法有效
| 申请号： | 200510117559.3 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1804848A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 崔玉萍;S·M·曼斯费尔德 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于实施基于模型的光学邻近校正(MBOPC)的方法和一种用于实施MBOPC的系统，其中所述工艺模型被分解为常数工艺模型项和图形依赖部分。通过所述常数工艺模型项修改预期的晶片目标以形成在MBOPC工艺中用作新目标的模拟目标。模型的图形依赖部分被用作MBOPC算法中的工艺模型。从而获得了导致跨芯片线宽变化得到改善的最终掩模设计，和更鲁棒的MBOPC工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改进 光学 邻近 校正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设计用于在晶片上形成图形的掩模的方法，该方法包括以下步骤：提供描述用于将掩模图形转移为晶片图形的工艺的工艺模型；将所述工艺模型分解为图形依赖工艺模型和常数项；提供预期的晶片目标图形；以所述常数项偏移所述预期的晶片目标图形以形成模拟目标图形；提供初始掩模设计；以及修改所述初始掩模设计以形成最终掩模设计，以便当在所述图形依赖工艺模型中使用所述最终掩模时，获得在可接受标准内匹配所述模拟目标图形的模拟晶片图形。
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