[发明专利]一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510117619.1 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1959513A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 皇甫鲁江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，在这种结构中，底部栅电极和栅极引线的厚度、层状结构或材料不同。该结构的制作方法是在制作薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)的薄膜晶体管(TFT)阵列(Array)时，用于形成像素驱动电极和底部栅电极的导电薄膜是通过同一工艺过程形成的由下层透明导电层和上层金属层构成的复合薄膜。制作完成后，底部栅电极保持复合薄膜的层状结构，而透明的像素驱动电极由复合膜剥离不透明的金属层后的透明导电层形成。通过上述结构和方法制造的薄膜晶体管阵列结构，使底部栅极薄膜晶体管阵列结构更加合理，制作工艺更加简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 栅极 薄膜晶体管 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种底部栅极薄膜晶体管阵列结构，包括：玻璃基板，形成于玻璃基板上的底部栅电极，形成于底部栅电极上的包含有有源沟道的CVD复合膜，沟道一端的源漏电极与源漏引线相连，另一端的源漏电极与像素驱动电极引线相连，底部栅电极与栅极引线相连，其特征在于：所述的底部栅电极和栅极引线为分别制作的两个独立的部分，其厚度、层状结构或材料不同。
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