[发明专利]以臭氧水成长超薄氧化层的方法无效
| 申请号： | 200510117685.9 | 申请日： | 2005-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN1964001A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 陈永裕;金光祖;陈秋美;罗正忠 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明将臭氧气体溶于去离子水中形成臭氧水，再将硅晶圆浸入臭氧水中成长超薄氧化层，用以取代传统制程中的高温成长超薄氧化层。本发明的优点为省时、省能、不需高温即可成长超薄、高密度、高均匀性的氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 臭氧 成长 超薄 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成长超薄氧化层的方法，其特征在于，包含下列步骤：a)将一基材与一臭氧水接触，该臭氧水含有介于10ppb-20ppm的臭氧浓度；及b)将该基材与该臭氧水分离，于是在将该基材表面上形成一厚度介于0.1-2.5纳米的超薄氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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