[发明专利]反熔丝一次可编程的非易失存储器单元及其制造方法与编程方法

摘要

一种反熔丝一次可编程(ONE－TIME－PROGRAMMABLE)非易失存储器单元，包含具有两P－掺杂区的P阱基板、N+掺杂区以及反熔丝，其中N+掺杂区位于基板上的两P－掺杂区之间，以作为位线。反熔丝(anti－fuse)设置于N+掺杂区上。两绝缘区沉积于此两P－掺杂区上。杂质掺杂多晶硅层设置于两绝缘区与反熔丝上。多晶硅化金属层设置于杂质掺杂多晶硅层上，而多晶硅化金属层与多晶硅层可作为字线。在编程此反熔丝一次可编程非易失存储器单元后，已编程的区域(例如为连结)可作为二极管，其形成于反熔丝上。此外，本发明亦披露反熔丝一次可编程非易失存储器单元的编程方法、读取方法以及制造方法。

主权项

1.一种反熔丝一次可编程非易失存储器单元，其特征是包括：基板；第一杂质掺杂区，位于该基板上且具有第一极性；第二杂质掺杂区，位于该基板上且具有第一极性；第三杂质掺杂区，位于该基板上的该第一杂质掺杂区与该第二杂质掺杂区之间，而该第三杂质掺杂区具有第二极性，其中该第二极性与该第一杂质掺杂区与该第二杂质掺杂区的该第一极性相反；以及反熔丝，设置于该第三杂质掺杂区上。