[发明专利]全内反射式椭偏成像装置和成像方法

摘要

全内反射椭偏成像装置及成像方法，它涉及一种利用椭偏术的光学成像方法和成像装置。本发明的全内反射椭偏成像装置，包括：光源、起偏器、滤波装置、补偿器、检偏器、透镜、位于入射光的光路上使光源所发出的光形成扩展的准直光准直系统、待测样品、棱镜和位于待测样品的反射光路上的CCD或CMOS探测器，CCD或CMOS探测器对扩展探测光束照射样品上的所有点同时进行成像测量。本发明的方法，包括：将一准直的单色入射光形成偏振光，将该光束形成为扩展的探测光束，然后将该光束以入射角α照射至待测样品；对扩展的探测光所照射区域的所有点的反射光束同时进行CCD或CMOS成像测量。本发明解决了现有的成像装置和成像方法只能实现单点单样品测量的问题。

主权项

1.全内反射椭偏成像装置，包括：光源，该光源所发出的光束照射待测样品；依次位于光源与待测样品之间的入射光的光路上的，用于将光束变换为偏振光的起偏器，用于将光束变换为单色光的滤波装置，用于改变偏振光的偏振状态的补偿器；位于待测样品的反射光的光路上的检偏器和透镜；其特征在于，还包括：准直系统，位于入射光的光路上，使光源所发出的光形成扩展的准直光；待测样品：固体表面的分子膜层和/或分子膜层的形成过程和演变过程；棱镜，入射面接收光源所发出的探测光束并与探测光束相垂直，探测光束通过反射面照到待测样品；位于待测样品的反射光路上的CCD或CMOS探测器，它对扩展探测光束照射的样品表面上的所有点同时进行成像测量。