[发明专利]基板处理装置的恢复方法、恢复程序、及基板处理装置有效
| 申请号： | 200510117785.1 | 申请日： | 2005-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1790614A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 古家元;田中秀树;大久保智也;小林凉子 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/3213;G05B19/048;C23C14/22;C23C16/44;C23F4/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够不降低处理装置的工作效率，来进行该装置的异常判定的基板处理装置的恢复方法。加工腔室(P/C)(2)具有腔室(10)，在P/C(2)的维护之后，控制部(57)实施包括将所述腔室(10)内抽成真空的抽成真空工序、设定所述腔室(10)内温度的温度设定工序、判定所述腔室(10)内有无异常的异常判定工序、和使所述腔室(10)内的气氛与规定的处理条件一致而稳定下来的时效处理工序的自动设置处理，其中，异常判定工序是将对应于所述腔室(10)内的状态变化而变化的作为装置记录的下部匹配器(19)的阻抗，与正常状态下的下部匹配器(19)的阻抗进行比较。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 恢复 方法 程序 | ||
【主权项】：
1.一种具有容器室的基板处理装置的恢复方法，其特征在于，包括：将所述容器室内抽成真空的抽成真空工序；设定所述容器室内温度的温度设定工序；判定所述容器室内有无异常的异常判定工序；和使所述容器室内的气氛与规定的处理条件一致而稳定下来的时效处理工序，其中，所述异常判定工序，测定根据所述容器室内的状态变化而变化的数据中的至少一个数据，将该测定的数据和与所述测定的数据对应的所述容器室内的正常状态的基准数据进行比较。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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