[发明专利]非易失性存储器件及其编程方法无效
| 申请号： | 200510118082.0 | 申请日： | 2005-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1783343A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 郑宰镛;任兴洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;李晓舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 披露了一种非易失性存储器件及其编程方法。该方法包括在多次程序循环期间将字线电压、位线电压和整体电压施加到存储单元。在当前程序循环期间位线电压下降到低于第一预定检测电压或者整体电压变得高于第二预定检测电压的情况下，相同的字线电压被用在当前编程循环和在当前程序循环之后的下一个程序循环中。否则，在下一编程循环之前将字线电压增加预定的量。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种编程非易失性存储器件的方法，该方法包括：将字线电压和位线电压施加到非易失性存储器件的存储单元；在与第一程序循环相关的第一编程周期期间，检测位线电压是否下降到低于预定检测电压；和基于位线电压检测的结果，确定用于与在第一编程循环之后的第二程序循环相关的第二编程周期的编程条件。
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