[发明专利]具有非平面晶体管的固态图像传感器设备及其制造方法有效
申请号: | 200510118129.3 | 申请日: | 2005-10-20 |
公开(公告)号: | CN1812112A | 公开(公告)日: | 2006-08-02 |
发明(设计)人: | 柳政澔 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L29/78;H01L21/822;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邸万奎;黄小临 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了CMOS图像传感器设备以及制造该设备的方法,其中用具有垂直栅电极和沟道的非平面晶体管设计有源像素传感器,这可最小化图像滞后和暗电流的影响。 | ||
搜索关键词: | 具有 平面 晶体管 固态 图像传感器 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种图像传感器设备,包括:半导体衬底,其包括由在半导体衬底中形成的隔离层限定的多个有源区域;以及包含多个像素的像素阵列,其中每个像素形成在所述有源区域之一中,其中每一个像素包括:光接收元件;以及电荷转移元件,用于从光接收元件中转移电荷,其中电荷转移元件包含在像素的有源区域中的用以转移所述电荷的垂直沟道区域、在隔离层中形成的并且邻近垂直沟道区域布置的垂直栅电极、以及布置在垂直沟道区域和垂直栅电极之间的绝缘材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的