[发明专利]介电层的制造方法无效

专利信息
申请号: 200510118135.9 申请日: 2005-10-20
公开(公告)号: CN1953144A 公开(公告)日: 2007-04-25
发明(设计)人: 王俞仁;颜英伟;龙健华;詹书俨;黄国泰 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/3105 分类号: H01L21/3105;H01L21/3115
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种介电层的制造方法,首先提供一衬底,并于衬底上形成介电层。然后,对介电层进行氮化工艺。然后,对介电层进行第一退火工艺,第一退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第一气体,其中第一气体的不活泼气体对氧气具有第一分压比。之后,对介电层进行第二退火工艺,第二退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第二气体,其中第二气体的不活泼气体对氧气具有第二气体分压比,且第二气体分压比小于第一气体分压比。此外,二次退火工艺中至少有一次温度要在950℃以上。此发明方法可使介电层中的氮掺杂剂分布均匀。
搜索关键词: 介电层 制造 方法
【主权项】:
1.一种介电层的制造方法,包括:提供一衬底;于该衬底上形成一介电层;对该介电层进行一氮化工艺;对该介电层进行一第一退火工艺,所使用的气体为含有一不活泼气体与氧气的一第一气体,该第一气体的该不活泼气体对氧气具有一第一分压比;以及对该介电层进行一第二退火工艺,所使用的气体为含有该不活泼气体与氧气的一第二气体,该第二气体的该不活泼气体对氧气具有一第二气体分压比,且该第二气体分压比小于该第一气体分压比。
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