[发明专利]介电层的制造方法无效
申请号: | 200510118135.9 | 申请日: | 2005-10-20 |
公开(公告)号: | CN1953144A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 王俞仁;颜英伟;龙健华;詹书俨;黄国泰 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;H01L21/3115 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种介电层的制造方法,首先提供一衬底,并于衬底上形成介电层。然后,对介电层进行氮化工艺。然后,对介电层进行第一退火工艺,第一退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第一气体,其中第一气体的不活泼气体对氧气具有第一分压比。之后,对介电层进行第二退火工艺,第二退火工艺所使用的气体为含有不活泼气体与氧气的第二气体,其中第二气体的不活泼气体对氧气具有第二气体分压比,且第二气体分压比小于第一气体分压比。此外,二次退火工艺中至少有一次温度要在950℃以上。此发明方法可使介电层中的氮掺杂剂分布均匀。 | ||
搜索关键词: | 介电层 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种介电层的制造方法,包括:提供一衬底;于该衬底上形成一介电层;对该介电层进行一氮化工艺;对该介电层进行一第一退火工艺,所使用的气体为含有一不活泼气体与氧气的一第一气体,该第一气体的该不活泼气体对氧气具有一第一分压比;以及对该介电层进行一第二退火工艺,所使用的气体为含有该不活泼气体与氧气的一第二气体,该第二气体的该不活泼气体对氧气具有一第二气体分压比,且该第二气体分压比小于该第一气体分压比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510118135.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可连接移动系统插头
- 下一篇:L998无溶剂液态酚醛树脂结合剂
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造