[发明专利]闪存器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510118158.X | 申请日： | 2005-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1862836A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 金基锡 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/40;H01L27/105;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种闪存器件及其制造方法。所述器件包括完全围绕浮置栅极的顶部及侧部所形成的控制栅极。所述控制栅极位于在字线方向相邻的浮置栅极、以及在位线方向相邻的浮置栅极之间。本闪存器件减少由于浮置栅极之间的干扰所产生的阈值电压偏移，且还增加了浮置栅极与控制栅极的重叠区域。因此，存在可以增加耦合比的效应。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存器件，包括：一半导体衬底；一隧道介电薄膜，形成于所述半导体衬底上；诸浮置栅极，形成于所述隧道介电薄膜上并在一单元基材上以岛状分开；一层间介电薄膜，形成于包括所述浮置栅极的整个表面上；以及诸控制栅极，形成于所述层间介电薄膜上并在第一方向排列而且围绕所述浮置栅极的顶部及侧部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510118158.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铲运机电气控制装置
- 下一篇：一种电压力锅用弹性受力结构
- 同类专利
- 专利分类
