[发明专利]图形形成方法及曝光装置无效
申请号: | 200510118182.3 | 申请日: | 2003-08-29 |
公开(公告)号: | CN1763633A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 远藤政孝;笹子胜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种图形形成方法,在形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜(102)之后,以向抗蚀膜(102)上提供由含有消泡剂且边进行循环边暂时被贮存于溶液贮存部内的水(折射率n:1.44)组成的溶液(103)的状态,对抗蚀膜(102)照射曝光光(104),进行图形曝光。对已进行图形曝光的抗蚀膜(102)进行后烘之后,用碱性显影液进行显影,则可以得到由抗蚀膜(102)的未曝光部(102b)构成的具有良好截面形状的抗蚀图形(105)。根据本发明,通过减少用于浸渍光刻法的溶液中的气泡,可以使抗蚀图形的截面形状变得良好。 | ||
搜索关键词: | 图形 形成 方法 曝光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种图形形成方法,其特征在于,具有:以向抗蚀膜上提供溶液的状态对所述抗蚀膜选择性地照射曝光光而进行图形曝光的工序、和对已进行曝光的所述抗蚀膜进行显影而形成抗蚀图形的工序,所述进行图形曝光的工序包括一边将暂时被贮存于溶液贮存部内部的所述溶液提供给所述抗蚀膜,一边向所述抗蚀膜照射所述曝光光的工序,该溶液贮存部被设置在所述抗蚀膜和将所述曝光光投影于所述抗蚀膜上的透镜之间,且从溶液流入口引入所述溶液的同时从截面积小于所述溶液流入口的溶液流出口排出溶液。
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