[发明专利]用于半导体器件的存储电容器及形成该存储电容器的方法有效
| 申请号： | 200510118196.5 | 申请日： | 2005-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1790675A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 金洛焕;曹永周;金晟泰;朴仁善;李铉德;李炫锡;郑正喜;金玄永;林炫锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/8222;H01L21/82;H01L21/02;H01L21/00;H01L27/108;H01L27/102;H01L27/10;H01L27/00;H01L29/92 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 存储 电容器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储电容器的方法，包括：在半导体衬底上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括位于其上延伸到半导体衬底的开口；在层间绝缘层上，在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地除去部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽，该凹槽具有下表面和侧面；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；以及在该钛层上形成氮氧化钛层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510118196.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：静电耗散型光学结构
- 下一篇：应用层高速缓存映像知晓和再分配的系统和方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
