[发明专利]高深宽比开口及其制作方法无效
| 申请号： | 200510118414.5 | 申请日： | 2005-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN1956184A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 周珮玉;廖俊雄 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制作高深宽比接触孔的方法，包括提供半导体衬底，其具有导电区域、接触孔蚀刻停止层，及层间介电层；于该层间介电层上形成一光致抗蚀剂图案，包括一开口，其位于该导电区域的正上方；利用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻硬掩模，并利用该接触孔蚀刻停止层为干蚀刻停止层，经由该开口各向异性干蚀刻该层间介电层，形成接触孔上半部部位；去除该光致抗蚀剂图案；以及经由该接触孔上半部部位各向同性干蚀刻该接触孔蚀刻停止层，并形成加宽的接触孔底部，暴露出较大面积的该导电区域。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 开口 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高深宽比开口，包括：一半导体衬底，其上具有一导电区域；一接触孔蚀刻停止层，覆盖在该导电区域上；一层间介电层，覆盖在该接触孔蚀刻停止层上；一接触孔上半部，设于该层间介电层中，其中该接触孔上半部具有一微渐缩轮廓；以及一加宽的接触孔底部，设于该接触孔蚀刻停止层中，并暴露出该导电区域，其中该接触孔上半部与该加宽的接触孔底部相连通，并构成一倒T字型的接触孔。
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