[发明专利]磁致电阻传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200510118430.4 申请日: 2005-10-28
公开(公告)号: CN1805013A 公开(公告)日: 2006-07-19
发明(设计)人: 詹姆斯·M·弗赖塔格;威普尔·P·杰亚斯卡拉;穆斯塔法·M·皮纳巴西 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39;G11B5/012
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李晓舒;魏晓刚
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明提供一种在小道宽具有改善的被钉扎层稳定性的磁致电阻传感器。该传感器具有定义该传感器的道宽的基本垂直侧壁。自由层终止于该基本垂直的侧壁,但是被钉扎层结构或其部分延伸超过道宽区域到场中。该延伸的被钉扎层结构提供对幅角翻转增加的抵抗力,同时允许该道宽保持较小。
搜索关键词: 致电 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁致电阻传感器,包括:自由层;间隔层,其终止于定义道宽的第一和第二基本垂直的侧壁;以及被钉扎层,其延伸超过该道宽。
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