[发明专利]高压金属氧化物半导体元件及其制造方法有效
申请号: | 200510118496.3 | 申请日: | 2005-10-27 |
公开(公告)号: | CN1956218A | 公开(公告)日: | 2007-05-02 |
发明(设计)人: | 李治华;陈铭逸 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种高压金属氧化物半导体元件,包括衬底、N型外延层、隔离结构、栅介电层、栅极、N型漏极区、P型井区、N型源极区、第一N型井区及埋入式N型掺杂区。第一N型井区设置于隔离结构下方及栅极一侧的N型外延层中,且第一N型井区与N型漏极区有重叠区域。埋入式N型掺杂区设置于N型外延层下方的衬底中且与第一N型井区相连接。 | ||
搜索关键词: | 高压 金属 氧化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高压金属氧化物半导体元件,包括:一衬底;一N型外延层,设置于该衬底上;一隔离结构,设置于该N型外延层中;一栅介电层,设置于该N型外延层上且与该隔离结构相邻;一栅极,设置于该栅介电层与部分该隔离结构上;一N型漏极区,设置于该栅极靠近该隔离结构的一侧的该N型外延层中;一P型井区,设置于该栅极另一侧的该N型外延层中;一N型源极区,设置于该P型井区中;一第一N型井区,设置于该隔离结构下方及该栅极一侧的该N型外延层中,且该第一N型井区与该N型漏极区有重叠区域;以及一埋入式N型掺杂区,设置于该N型外延层下方的该衬底中且与该第一N型井区相连接。
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